вольфрамовой проволоки.

" />
Главная » Зонды для СТМ микроскопов из вольфрамовой проволоки

Зонды для СТМ микроскопов из вольфрамовой проволоки

Цены на вольфрам от компании "МЕТАТОРГ"

Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) – одно из исследований в области нанотехнологий, применяя которое удается найти решения фундаментальных проблем. Среди таких задач можно выделить:

  • визуализацию рельефов и совершенствование процессов обработки поверхностей, в частности оптических, на микро- и наноуровне;
  • разработку наноразмерных структур с предварительно определенными характеристиками и свойствами;
  • оптимизацию процесса внедрения металлических частиц в образцы из полимеров;
  • определение характеристик (морфологических и структурных) наночастиц полупроводников и металлов в диэлектрическом образце;
  • подтверждение/опровержение теоретических результатов.

Сейчас высокий интерес к исследованиям вызывают неравновесные физико-химические процессы. Особое внимание уделяется проведению  микроскопического изучения поверхности, полученной в результате таковых. В качестве структурообразующего элемента во множестве макроскопических систем выступает фрактальный кластер. Многие исследования (построенные как на теории, так и на экспериментах), в ходе которых изучались физические свойства поверхностей с различной геометрической шероховатостью, показали, что для масштабно-самоподобных объектов характерны флуктуирующие поля, значительно превышающие внешние возбуждающие поля, а значит, сказывающиеся на характере поверхностей. Данный факт и обусловливает необходимость подробного изучения фрактальной структуры кластеров и их влияний.

Получение характеристик режимов вакуумного напыления и информации относительно рельефов поверхностей позволит освоить технологию выращивания поверхностей с предварительно определенным наностроением. Возможность существования фрактальной структуры, обладающей определенной размерностью, была установлена в ходе исследования образца «золота на слюде» с задействованием зондов из вольфрамовой проволоки.

Исследования образцов, состав которых является сложным, на  неоднородность электрических свойств стали возможны благодаря использованию СТМ. При их проведении одновременно снимаются вальт-амперные характеристики (ВАХ) и проводится анализ рельефа поверхности в определенных точках. Данный подход позволяет проанализировать распределение различных фаз на поверхности композитных структур и выявить среди них сверхпроводящие, а также исследовать статистическую взаимосвязь технологических параметров и электронных свойств.

Метод СТМ – процесс исследования зависимости туннельного тока, протекающего между острием и образцом, от величины приложенного напряжения смещения. Данные электронной структуры могут искажаться, на что влияет ряд факторов, которые не всегда удается учесть. Поэтому, немаловажно определить параметры воздействия элементов СТМ на получаемую ВАХ.

Например, при изучении результатов исследования системы вольфрамовое острие и образец из золота, выявлено, что степень прозрачности туннельного барьера и изменение её формы от величины приложенного напряжения оказывает значительное влияние на полученные данные. Помимо этого, ВАХ зависит от эффекта термического расширения острия. Данный параметр проявляется даже при незначительных  величинах напряжения смещения, что вызывает прямой контакт острия и образца.

вольфрамовой проволоки